由于界面处对库的破坏导致超薄Mo2N薄膜中超导性受抑制
超导电性
2023-11-30 v1
摘要
以费米矢量kF与电子平均自由程l的较小乘积为特征的强无序将超导体推向绝缘态。这种无序可通过使薄膜极薄而引入。在此，我们呈现了k_F*l ~ 2的3纳米Mo2N薄膜，其电阻超导转变温度Tc = 2 K相较于块体Tc被严重抑制。尽管电阻转变尖锐，低温隧穿谱观测到了具有模糊类能隙峰和隙内态（即所谓Dynes态密度（DOS））的超导态密度。通过扫描隧道显微镜获得了谱图并将其与表面形貌相关联。这些图谱显示出超导能隙约20%的空间变化，这并非偶然，而是与表面起伏良好相关：突起处呈现更大的能隙、更小的谱展宽和更小的隙内态。与我们之前在超薄MoC薄膜上的测量一致，我们认为引入局域对破坏的薄膜-衬底界面是造成所观测效应以及一般而言这些超薄薄膜中超导性受抑制的原因。
引用
@article{arxiv.2311.17506,
title = {Suppressed superconductivity in ultrathin Mo2N films due to pair-breaking at the interface},
author = {M. Kuzmiak and M. Kopcik and F. Kosuth and V. Vano and P. Szabo and V. Latyshev and V. Komanicky and P. Samuely},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.17506},
year = {2023}
}
备注
Manuscript with 3 Figures