电子准粒子驱动均匀无序薄膜中的超导-绝缘体转变
凝聚态物理
2009-11-07 v2
摘要
Bi、MoGe 和 PbBi/Ge 均匀无序薄膜的输运数据表明，在名义绝缘体-超导体转变处的临界电阻率 与正常态薄层电阻 呈线性关系。此外，临界磁场与超导能隙呈线性标度关系，且可由 很好地近似。由于 是在高温下确定的，而 是拆对磁场，由此直接得出两个结论：1) 电子准粒子占据转变的绝缘侧；2) 标准的纯相位模型无法描述超导态的破坏。随着无能隙电子激发占据绝缘态，其普适类不再是 3D XY 模型。在这一背景下可以理解均匀无序薄膜中不存在唯一临界电阻的原因。鉴于近期实验在均匀无序 MoGe 薄膜中观察到分隔绝缘体与超导体的中间金属态，我们认为伴随超导破坏的两个转变为：1) 超导体转变为玻色金属，其中相位相干性丧失；2) 玻色金属通过拆对转变为局域电子绝缘体。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0104504,
title = {Electron Quasiparticles Drive the Superconductor-to-Insulator Transition in Homogeneously Disordered Thin Films},
author = {Philip Phillips and Denis Dalidovich},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0104504},
year = {2009}
}
备注
This article is included in the Festschrift for Prof. Michael Pollak on occasion of his 75th birthday