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无序薄膜中向超导体-玻色绝缘体转变的趋近

超导电性 2012-09-05 v1 强关联电子

摘要

通过对强无序薄膜中磁场调控的超导体-绝缘体转变附近的标度行为进行详细研究,我们发现多种材料的结果可以坍缩到单一的相图上。数据显示出两个清晰的分支:一个具有弱无序和中间金属相,另一个具有强无序。在强无序分支上,临界点处的电阻趋近于 RQ=h/4e2R_Q = h/4e^2,且电阻的标度与量子渗流一致,因此与脏玻色子模型的预测一致。

关键词

引用

@article{arxiv.0710.1822,
  title  = {The approach to a superconductor-to-Bose-insulator transition in disordered films},
  author = {Myles A. Steiner and Nicholas P. Breznay and Aharon Kapitulnik},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0710.1822},
  year   = {2012}
}

备注

4 pages, 4 figures