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磁场下a-NbSi中厚度调控的超导体-绝缘体转变

超导电性 2009-11-13 v1 无序系统与神经网络

作者: C. A. Marrache-Kikuchi , H. Aubin , A. Pourret , K. Behnia , J. Lesueur , L. Berge , L. Dumoulin

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摘要

我们研究了a-NbSi薄膜在磁场存在下由厚度诱导的超导体-绝缘体转变。在“脏玻色子模型”框架内分析该体系的临界行为，发现临界指数乘积 $\nu_d z$ > 0.4。由此推断了(H,d)平面上的相应相图。这一较小的指数乘积以及在转变处发现的非普适临界电阻值，需要进一步研究以彻底理解这些转变。

关键词

超导体-绝缘体转变脏玻色子模型临界指数 a-NbSi薄膜相图磁场

引用

@article{arxiv.0810.2321,
  title  = {Thickness-tuned Superconductor-to-Insulator Transitions under magnetic field in a-NbSi},
  author = {C. A. Marrache-Kikuchi and H. Aubin and A. Pourret and K. Behnia and J. Lesueur and L. Berge and L. Dumoulin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0810.2321},
  year   = {2009}
}

备注

7 pages, 7 figures, to be published in PRB