薄 TiN 薄膜磁阻中的量子临界性与多个交叉点
超导电性
2021-05-26 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们测量了处于无序驱动超导体-绝缘体相变附近、但在零场和低温下仍为超导态的 TiN 薄膜的 。在磁场中,我们发现磁阻等温线在三个不同温度区域的磁场 处出现三个不同的交叉点。 中的每个交叉点对应于 中的一个平台。我们系统地研究了这些交叉点在无序诱导超导体/绝缘体相变附近的演化,确定了最有可能对应量子相变的候选者,并给出了两个临界指数 和 的估计值。
引用
@article{arxiv.2009.01316,
title = {Quantum criticality and multiple crossing points in the magnetoresistance of thin TiN-films},
author = {K. Kronfeldner and T. I. Baturina and C. Strunk},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.01316},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 5 figures plus supplement