铜氧化物超导体中磁场诱导的维度交叉现象及其意义

我们在临界现象框架内讨论了磁化强度-温度$(m,T$)平面中交叉点的出现。研究表明，在厚度为$d_{s}$的二维超导薄板中，在不同场$\mathbf{H} = H(0,\sin (\delta) ,\cos (\delta))$下测量的$m_{z}(\delta)$对温度$T$的曲线将在薄板的临界温度T_c处交叉。相反，在三维各向异性体超导体中，交叉点出现在$m_{z}(\delta) /H_{z}^{1/2}$对$T$的图中。实验事实表明，在陶瓷和单晶中，对于接近$\mathbf{H} = H(0,0,1)$的$\mathbf{H}$观察到二维交叉点特征，但对于$\mathbf{H} = H(0,1,0)$则未观察到，这可以用角度依赖的交叉场来解释，该场区分了二维或三维热涨落主导的区域。测量的二维交叉点数据用于估计铜氧化物超导体的基本参数之一，即保持超导的薄板最小厚度$(d_{s})$。我们基于单晶的二维交叉点实验数据的估计表明，该长度具有材料依赖性值。因此，以T_c对$1/\lambda_{\Vert}^{2}(T=0)$绘制的T_c和$\lambda_{\Vert}^{2}(T=0)$实验数据，在接近欠掺杂极限时不会趋向于具有普适斜率的直线。对磁转矩测量的影响也被推导出来。