标度依赖的超导体 - 绝缘体转变

我们研究了高载流子浓度氧化铟非晶薄膜中由无序驱动的超导体到绝缘体的转变。通过使用具有不同尺寸和纵横比的薄膜，我们表明“临界”方块电阻 $R_{{\small \square}}$ 系统地依赖于样品几何形状；在大样品中，当 $R_{{\small \square}}$ 超过 $\approx6$k$\Omega$ 时超导性消失。另一方面，同一批次中较宽且足够短的样品表现出超导性（根据电导率随温度的变化判断），其 $R_{{\small \square}}$ 值 considerably 更大。这些结果支持了超导体 - 绝缘体转变的非均匀场景。