半填充 Hubbard 梯子的光学导电率
强关联电子
2007-05-23 v3 超导电性
摘要
我们研究半填充 N 脚 Hubbard 梯子在“去束缚”极限下的光学导电率（即弱 Hubbard 相互作用和相对较强的链间隧穿）。N 脚 Hubbard 梯子等价于 N 带模型，其带速满足 v_1=v_N<v_2=v_{N-1}<...。当 N 较小时(N=3,4...)，带对 (i,N+1-i) 依次流向 D-Mott 态，导致电荷和自旋 gap 的级联，以及 2D Fermi 面逐渐关闭。有限温度下的光学导电率可能表现为显著的 Drude 峰与高频预形成对连续谱的共存，这些连续谱被由近似 SO(8) 对称性引起的尖锐 excitonic 峰分隔。对于非常大(N但为有限)时，所有相邻带在 2D Fermi 面上相互作用，导致低温 2D Mott 交叉伴随自旋密度波(SDW)不稳定。在此极限下，光学导电率表现出独特的电荷 gap——gap 之上的激发为结合空穴对-且 excitonic 特征消失。这些结果有助于解释 2D 系统在半填充及其附近的光学导电率，例如高 T_c 铜化合物的伪 gap 相。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302385,
title = {The optical conductivity of half-filled Hubbard ladders},
author = {J. Hopkinson and K. Le Hur},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302385},
year = {2007}
}
备注
12 pages, 8 figures; Added memory function calculation