1$T$-VSe$_2$ 中晶体纯度与电荷密度波的相关性

我们考察了在不同条件下通过化学气相输运（CVT）生长的 1$T$-VSe$_{2}$ 晶体的电荷密度波（CDW）性质。具体而言，我们发现通过降低生长温度（$T_{\mathrm{g}}$ $<$ 630$^{\circ}$C），由电输运测量得到的 CDW 转变温度与剩余电阻比（RRR）均显著升高。利用 X 射线光电子能谱（XPS），我们将观测到的 CDW 性质与化学计量比及缺陷性质相关联。此外，我们优化了一种生长超高纯度 1$T$-VSe$_{2}$ 晶体的方法，其 CDW 转变温度 $T_{\mathrm{CDW}}$ = (112.7 $\pm$ 0.8) K，最大剩余电阻比（RRR）$\approx$ 49，为迄今报道的最高值。本工作凸显了 1$T$-VSe$_{2}$ 中 CDW 对缺陷与整体化学计量比的敏感性，以及控制强关联过渡金属硫族化物晶体生长条件的重要性。