单层 MoS2 中本征缺陷及 V 族和 VII 族杂质的稳定性与可掺杂性
材料科学
2014-05-28 v1
摘要
我们通过密度泛函理论计算，研究了单层 MoS2 中的本征缺陷、VB 族和 VIIB 族元素的 Mo 替位杂质，以及 VA 族和 VIIA 族元素的 S 替位杂质。研究发现，在富 Mo 和富 S 条件下，S 空位 (V_S) 和 S 间隙 (S_i) 的形成能较低，约为 ~1 eV，但 V_S 和 S_i 作为深能级缺陷，其载流子掺杂能力较差。研究发现 V、Nb 和 Ta（VB 族）以及 Re（VIIB 族）杂质易于以 Mo 替位缺陷的形式掺入单层 MoS2，其中 V、Nb 和 Ta 为浅受主，而 Re 是所考虑杂质中唯一的浅施主。研究表明，从天然生长的 MoS2 块体材料剥离得到的单层 MoS2 中出现的无意 n 型掺杂可能源于 Re 杂质。
引用
@article{arxiv.1307.3813,
title = {Stability and dopability of native defects and group-V and -VII impurities in single-layer MoS2},
author = {Ji-Young Noh and Minkyu Park and Yong-Sung Kim and Hanchul Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.3813},
year = {2014}
}