二维MoS$_2$中掺杂剂与杂质分布的直接成像
材料科学
2021-02-11 v1
摘要
二硫化钼（MoS）纳米片是一种具有高电子迁移率的二维材料，在催化与电子学领域具有很高的应用潜力。我们采用一锅湿化学合成路线合成了含Re掺杂与不含Re掺杂的MoS纳米片。原子探针层析显示，3.8 at.%的Re在Re掺杂纳米片中均匀分布。还发现其他杂质也整合于材料中：包括C、N、O和Na在内的轻元素局部富集可达0.1 at.%，以及V和W等重元素。对非掺杂样品的分析表明，W和V可能来源于Mo前驱体。
引用
@article{arxiv.2102.05572,
title = {Direct imaging of dopant and impurity distributions in 2D MoS$_2$},
author = {Se-Ho Kim and Joohyun Lim and Rajib Sahu and Olga Kasian and Leigh T. Stephenson and Christina Scheu and Baptiste Gault},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.05572},
year = {2021}
}