GaInO3 中 n 型电导率的来源
材料科学
2015-06-18 v2
摘要
利用混合密度泛函理论，我们研究了 GaInO3 中可能的类施主缺陷的形成能和跃迁能，旨在探索该材料中实验观测到的 n 型电导率的来源。我们预测氧空位是深施主；间隙 Ga 和 In 是浅施主，但具有较高的形成能（>2.5 eV）。因此，这些本征缺陷无法导致高水平的 n 型电导率。然而，样品中普遍存在的 H 杂质可作为浅施主。对于外掺杂剂，替代型 Sn 和 Ge 被证明是有效的施主掺杂剂，可产生高 n 型电导率的 GaInO3；而替代型 N 则表现为补偿中心。我们的结果为实验观测提供了一致的解释。
引用
@article{arxiv.1403.0218,
title = {Sources of n-type conductivity in GaInO3},
author = {V. Wang and W. Xiao and L. -J. Kang and R. -J. Liu and H. Mizuseki and Y. Kawazoe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.0218},
year = {2015}
}
备注
6 figures