利用极端功函数物质对石墨烯进行转移掺杂
材料科学
2017-03-22 v1
摘要
本文利用密度泛函计算解释了电荷转移掺杂机制：通过物理吸附键合到石墨烯上的物质可以增加其自由空穴或电子密度，且不会产生缺陷，从而保持高载流子迁移率。所研究的典型掺杂剂包括 FeCl3、AuCl3、SbF5、HNO3、MoO3、Cs2O 和 O2。这些体系不破坏基面的 键合，这一点尤为重要，因为它们不会降低载流子迁移率。相比之下，更具反应性的自由基（如 -OH）会导致基面发生褶皱，从而形成缺陷。
引用
@article{arxiv.1703.07315,
title = {Transfer doping of Graphene by Species of Extreme Work Function},
author = {Haichang Lu and Yuzheng Guo and John Robertson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.07315},
year = {2017}
}
备注
20 pages, 10 figures