利用火焰沉积 MoO3 实现石墨烯的超高空穴掺杂
介观与纳米尺度物理
2020-09-29 v1 材料科学
摘要
石墨烯基电子学预期的高性能常受限于缺乏适当掺杂，导致低载流子密度与大方阻。许多已报道的石墨烯掺杂方案还存在不稳定或与现有半导体工艺不兼容的问题。在此我们报道通过化学气相沉积生长的单层石墨烯实现高达 ~7x10^13 1/cm^2（~2x10^21 1/cm^3）的超高空穴 p 型稳定掺杂。这是利用快速火焰合成技术直接在石墨烯上生长多晶 MoO3 实现的。该方法将空穴的金属-石墨烯接触电阻降至 ~200 Ohm-um。我们还证明，与电子束沉积 MoO3 相比，火焰沉积 MoO3 提供超过 5 倍的更高石墨烯掺杂，以及更优的热与长期稳定性。
引用
@article{arxiv.2008.06794,
title = {Ultrahigh Doping of Graphene Using Flame-Deposited MoO3},
author = {Sam Vaziri and Victoria Chen and Lili Cai and Yue Jiang and Michelle Chen and Ryan Grady and Xiaolin Zheng and Eric Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.06794},
year = {2020}
}
备注
4 pages, 3 figures