单层石墨烯电子与空穴掺杂的理论极限：基于 DFT 计算
超导电性
2025-07-01 v1 材料科学
摘要
密度泛函理论计算表明，单层石墨烯中存在显著的空穴电子掺杂不对称性。结果显示，单张单层石墨烯可在保持动力学 [声子] 稳定性的条件下，承受最高可达 0.1 个空穴或异常惊人的 1.9 个电子的掺杂水平。基于麦克纳姆公式估计电子掺杂 regime 中的超导临界温度，揭示了掺杂水平函数中存在两个局部最大值，这些局部最大值与电子声子耦合常数的局部最大值相吻合。
引用
@article{arxiv.2505.02473,
title = {Theoretical limits of electron and hole doping in single layer graphene from DFT calculations},
author = {Dawid Ciszewski and Wojciech Grochala},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.02473},
year = {2025}
}
备注
3 pages, 4 figures, and supplement of 7 pages