无序石墨烯的磁阻：从低温到高温
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1
摘要
我们展示了在 6H-SiC 上通过化学气相沉积生长的高度掺杂单层石墨烯层的磁阻 (MR)。磁输运研究在从 = 1.7 K 到室温的宽温度范围内进行。MR 在 K 的温度范围内表现出一个最大值。该最大值出现在中等磁场 ( T) 下，介于弱局域化和 Shubnikov-de Haas 机制之间。这是两种机制竞争的结果。首先，低场磁阻随 连续增加，具有纯粹的经典起源。这种正 MR 由热平均引起，其物理根源在于费米能级附近迁移率的能量依赖性。其次，高场负 MR 源于电子 - 电子相互作用 (EEI)。我们观察到了从扩散区到弹道区的转变。EEI 修正的幅度表明这些样品中同时存在长程和短程无序。
引用
@article{arxiv.1406.6255,
title = {Magnetoresistance of disordered graphene: from low to high temperatures},
author = {B. Jabakhanji and D. Kazazis and W. Desrat and A. Michon and M. Portail and B. Jouault},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.6255},
year = {2015}
}