封装单层石墨烯器件中的巨磁电阻效应
介观与纳米尺度物理
2020-02-05 v1
摘要
我们报道了六方氮化硼封装的单层石墨烯器件中巨磁电阻（EMR）的概念验证研究，该器件具有金属边缘接触与中央金属分流器。实现了极大的EMR值，，部分原因是随栅压变化接近或跨越零，超越了高迁移率块体半导体器件中所达的值。我们强调灵敏度，其在两端测量中为迄今EMR器件报道的最高值，尤其超过先前石墨烯基器件结果达20倍。零场输运中的不对称性可追溯至石墨烯-金属分流器界面处的结。
引用
@article{arxiv.2002.01123,
title = {Extraordinary magnetoresistance in encapsulated monolayer graphene devices},
author = {Bowen Zhou and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Erik A. Henriksen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.01123},
year = {2020}
}