基于六方氮化硼封装石墨烯的超灵敏霍尔传感器
介观与纳米尺度物理
2015-06-23 v1
摘要
将石墨烯封装在六方氮化硼中可提供具有优异材料质量的衬底上石墨烯。在此，我们展示了基于石墨烯 - 氮化硼异质结构的霍尔传感器元件的制造和表征，我们在室温下获得了高迁移率和低电荷载流子密度。我们展示了详细的器件表征，包括真空和环境条件下的霍尔效应测量。我们实现了高达 5700 V/AT 和 3 V/VT 的电流相关和电压相关灵敏度，超越了最先进的硅和 III/V 族霍尔传感器器件。最后，我们提取了由低频电噪声限制的磁分辨率，小于 50 nT/pHz，使我们的石墨烯传感器对工业应用极具吸引力。
引用
@article{arxiv.1504.01625,
title = {Ultra-sensitive Hall sensors based on graphene encapsulated in hexagonal boron nitride},
author = {Jan Dauber and Abhay A. Sagade and Martin Oellers and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Daniel Neumaier and Christoph Stampfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.01625},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 3 figures, 1 table