在全 CVD h-BN/石墨烯/h-BN 异质结构上批量制备的霍尔传感器
应用物理
2018-04-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二维(2D)材料石墨烯因其在室温下具有高载流子迁移率和低载流子浓度的潜力，在霍尔传感器方面极具前景。在此，我们报道了利用市售大面积 CVD 生长材料，在六方氮化硼(h-BN)封装的石墨烯上可扩展地批量制备磁霍尔传感器。通过层转移技术制备了全 CVD 生长的 h-BN/石墨烯/h-BN 范德瓦耳斯异质结构，并采用一维边缘金属接触批量制备了霍尔传感器。在室温下测得的电流相关霍尔灵敏度高达 97 V/AT。该霍尔传感器在晶圆尺度上表现出稳健性能，并在环境大气中六个月保持特性稳定。本工作为进一步发展全 CVD 二维材料异质结构的生长和制备技术开辟了道路，并有助于在实际应用中进一步提升霍尔传感器性能。
引用
@article{arxiv.1804.09924,
title = {Hall sensors batch-fabricated on all-CVD h-BN/graphene/h-BN heterostructures},
author = {André Dankert and Bogdan Karpiak and Saroj P. Dash},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.09924},
year = {2018}
}