基于 InAs/AlSb 的磁霍尔传感器的制备与表征
应用物理
2021-06-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
基于霍尔效应的磁场传感器是矢量传感器,对磁场的垂直分量敏感。通常,Si 基霍尔传感器用于大多数需要低场灵敏度的用途。对于更高灵敏度,诸如 GaAs、InSb 等 III-V 族半导体由于在室温下更高的载流子迁移率提供了更好的替代方案。本工作中,制备了基于 InAs/AlSb 异质结处二维电子气(2DEG)的霍尔传感器。该 2DEG 位于表面下方约 20 nm。通过室温霍尔测量推导出载流子密度为 3.2x10^16 /m^2、迁移率为 1.8 m^2/Vs。进行了 1/f 噪声分析,计算出磁场分辨率约为 1 uT/Hz^{1/2}。
引用
@article{arxiv.2105.14272,
title = {Fabrication and Characterization of InAs/AlSb based Magnetic Hall Sensors},
author = {Marsha Mary Parmar and Hurmal Saren and Pintu Das},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.14272},
year = {2021}
}