基于 InAs 异质结的激光微纳结构电学与太赫兹磁谱研究

由具有强自旋 - 轨道相互作用 (SOI) 的窄禁带半导体（如 InAs）制成的纳米结构可用于过滤电子动量模式，并提供完全通过电场产生和检测自旋极化电流的可能性。在此，我们展示了针对具有背栅的霍尔棒 (Hall-bars) 的磁输运和太赫兹 (THz) 磁谱研究，该霍尔棒由 InGaAs/InAlAs 量子阱结构制成，其中嵌入了应变 4 nm InAs 沟道。光照后，二维电子气位于 53 nm 深度处，载流子密度约为 $6\times10^{11}$ cm$^{-2}$，迁移率约为 $2\times10^{5}$ cm$^2$/Vs。低温和强磁场下的电学与太赫兹光输运测量揭示了 0.038$m_{0}$ 的有效质量和高达 20 的各向异性 $g$-因子，该值大于体材料 InAs 或基于 InAs 的异质结。我们证明了可以通过微激光光刻形成准一维通道，并通过面内栅极控制子带占据数。与先前的报道相反，施加于准一维通道的对称和非对称面内栅极电压并未显示出 SOI 诱导的电导异常迹象。