刻蚀受限超导体-半导体纳米线中的自旋轨道能
介观与纳米尺度物理
2021-11-25 v2
摘要
我们报道了通过对混合超导体-半导体二维电子气(2DEG)进行刻蚀所制备的准一维(1D)Al-InAs纳米线的磁输运测量。超导能隙之上的隧穿谱测量提供了一种识别受限一维区相关一维子带的方法。将数据拟合到包含自旋轨道相互作用(SOI)不同分量的模型揭示了它们的强度，这对于评估超导体-半导体2DEG实现马约拉纳量子比特的适用性具有意义。
引用
@article{arxiv.2103.08752,
title = {Spin-orbit Energies in Etch-Confined Superconductor-Semiconductor Nanowires},
author = {J. D. S. Witt and G. C. Gardner and C. Thomas and T. Lindemann and S. Gronin and M. J. Manfra and D. J. Reilly},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.08752},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 4 figures, SI