具有Si delta掺杂层的赝晶GaAs/GaInAs/GaAlAs异质结构中的磁输运
凝聚态物理
2009-10-28 v2
摘要
在高达50 T的脉冲磁场和T=1.4 K及4.2 K的温度下，研究了赝晶GaAs/Ga0.8In0.2As/Ga0.75Al0.25As异质结构的磁输运性质。所研究的结构由平行于Ga0.8In0.2As量子阱（QW）的Si delta层组成。结构的暗电子密度为n_e=1.67x 10^16 m^-2。通过光照，密度可增加至4倍；这样，Ga0.8In0.2As量子阱中的第二子带以及Si delta层都可能被占据。delta层中电子的存在导致输运数据发生剧烈变化，尤其是在超过30 T的磁场下。观察到的现象被解释为：1) 当delta层中存在低密度电子时，delta层中载流子的磁冻结；2) 在高密度情况下，Ga0.8In0.2As量子阱和Si delta层中二维电子气内电子运动的量子化。这些结论得到了我们理论模型数值结果的证实。我们获得了模型与实验之间的满意一致性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9508147,
title = {Magnetotransport in a pseudomorphic GaAs/GaInAs/GaAlAs heterostructure with a Si delta-doping layer},
author = {M. van der Burgt and V. C. Karavolas and F. M. Peeters and J. Singleton and R. J. Nicholas and F. Herlach and J. J. Harris and M. Van Hove and G. Borghs},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9508147},
year = {2009}
}
备注
23 pages, RevTex, 11 Postscript figures (accepted for Phys. Rev. B)