从高迁移率InP/InGaAs MOCVD生长异质结构的二维磁输运中分离平行电导
介观与纳米尺度物理
2011-01-26 v1 材料科学
摘要
在这封信中，我们测量了高迁移率InGaAs/InP异质界面在1.6 K至300 K温度范围和0至15 T磁场范围内的四点磁输运，并展示了一种分析方法，通过该方法可以在除一个小的中间温度范围外的所有温度下，将二维（2D）积累层的迁移率和密度与平行导电掺杂层的迁移率和密度分别表征。随着温度从1.6 K升高到300 K，定义了标准的磁输运区域，即量子霍尔（QH）区、Shubnikov de Haas（SdH）区和Drude（D）区。在QH区和D区，应用不同的分析方法来分别推导两个层的密度和迁移率。定义了中间SdH区的定量条件，在该区域内QH和D分析均失效。推导了InP外延层/衬底界面处非故意掺杂施主的密度和激活能。在基温下，在ν = 20时，QH极小值可分辨至B = 0.4 T，揭示出迁移率μ = 160,000 cm²/Vs。在此高质量结构中，该二维系统至少在40 K以下仍能保持如此高的迁移率。
引用
@article{arxiv.1101.4719,
title = {Separating parallel conduction from two-dimensional magnetotransport in high mobility InP/InGaAs MOCVD-grown heterostructures},
author = {Yang Tang and Chuanle Zhou and M. Grayson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.4719},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 5 figures