关联二维空穴系统中的简并与半简并输运

长期以来令人困惑的是，半导体中低载流子密度的高迁移率二维(2D)载流子系统，当温度($T$)升高至与费米温度($T_F$)相当的特征温度以上时，其电阻率常呈现先大幅上升后下降的现象。我们发现，GaAs量子阱(QW)中的金属性二维空穴系统(2DHS)在简并($T \ll T_F$)和半简并($T \sim T_F$)两种区域下，均具有线性依赖于密度($p$)的电导率，$\sigma \approx e\mu^*(p-p_0)$。$\sigma(p)$对$T$的依赖关系表明，低温下的金属性导电(d$\sigma$/d$T<$0)与流动载流子的有效迁移率$\mu^*$的增加有关。然而，半简并区域($T>T_F$)的电阻率下降则源于两相图像中不动载流子密度$p_0$的减小。