二维载流子系统中与温度相关的弱场霍尔电阻
无序系统与神经网络
2009-11-10 v2
摘要
利用Drude-Boltzmann半经典输运理论，我们计算了低密度和低温下二维系统的弱场霍尔电阻，假设载流子被屏蔽的随机带电杂质中心散射。与温度相关的二维霍尔系数在强屏蔽系统中表现出显著的非单调性，特别是，我们定性地解释了最近在稀薄二维空穴系统中观察到的霍尔电阻随温度升高而降低的令人费解的实验现象。我们预测，在较高温度下，受杂质散射限制的霍尔系数最终将随温度升高而增加。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412670,
title = {Temperature dependent weak field Hall resistance in 2D carrier systems},
author = {S. Das Sarma and E. H. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412670},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 2 figures