WSe$_2$ 场效应晶体管中的低温二维/二维欧姆接触作为二维金属-绝缘体相变平台
介观与纳米尺度物理
2021-10-25 v1 无序系统与神经网络
材料科学
强关联电子
摘要
我们报道了具有二维/二维低温欧姆接触的六方氮化硼(hBN)封装多端 WSe Hall 条的制备，作为研究二维(2D)金属-绝缘体相变的平台。我们证明 WSe 器件在低至 0.25 K 的温度下表现出欧姆行为，且激励电压足够低以避免电流加热效应。此外，理想 Hall 条几何结构中的高质量 hBN 封装 WSe 器件使我们能够精确确定载流子密度。电导率 的温度()和密度()依赖性测量显示出与由电子-电子相互作用驱动、但同时存在无序诱导局域磁矩的金属-绝缘体量子相变一致的标度行为。我们的发现为进一步利用相同接触工程研究二维过渡金属硫族化合物的基本量子力学性质铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2012.02873,
title = {Low-Temperature 2D/2D Ohmic Contacts in WSe$_2$ Field-Effect Transistors as a Platform for the 2D Metal-Insulator Transition},
author = {L. J. Stanley and Hsun-Jen Chuang and Zhixian Zhou and M. Koehler and J. Yan and D. Mandrus and Dragana Popović},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.02873},
year = {2021}
}
备注
25 pages, 5 figures + Supporting Information (4 pages, 3 figures)