关于 hBN 作为基于二维材料的超缩放 CMOS 器件绝缘体的适用性
应用物理
2021-04-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
处于终极缩放极限的互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑电路对所有相关材料的特性提出了极高要求。对半导体的要求已被充分探讨,并可能由若干层状二维(2D)材料满足,例如过渡金属硫族化物或黑磷。对栅极绝缘体的要求可以说更具挑战性且更难满足。特别是构成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)核心的绝缘体-半导体组合必须具有优异质量才能构建具竞争力的器件。目前,六方氮化硼(hBN)是最常见的二维绝缘体,并被广泛认为是纳米缩放二维材料基晶体管中最有前景的栅极绝缘体。在此,我们批判性地评估 hBN 的材料参数并得出结论:尽管其特性使 hBN 成为二维纳米电子学中许多应用的理想候选者,但 hBN 极可能不适合作为超缩放 CMOS 器件的栅极绝缘体。
引用
@article{arxiv.2008.04144,
title = {On the suitability of hBN as an insulator for 2D material-based ultrascaled CMOS devices},
author = {Theresia Knobloch and Yury Yu. Illarionov and Fabian Ducry and Christian Schleich and Stefan Wachter and Thomas Müller and Michael Waltl and Mario Lanza and Mikhail I. Vexler and Mathieu Luisier and Tibor Grasser},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.04144},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 4 figures