2DFET 在低温下的增强非欧姆漏电阻
介观与纳米尺度物理
2025-11-04 v1 应用物理
摘要
二维材料基场效应晶体管 (2DFETs) 的接触问题近年来引起了广泛关注。尽管在室温下实现了欧姆行为，但 2DFET 的漏电流在低温下会从欧姆行为转为非欧姆行为。本文证明，这一转变归因于低温下金属-半导体接触处电流的非对称减小。在低漏电压下，载流子从源端隧穿到通道，但由于通道-漏侧势垒，扩散到漏侧，从而导致电流抑制。通过研究不同温度下欧姆金属-半导体接触的特性，我们分析了这一现象的机制以及金属-半导体势垒高度的依赖性。这项工作开拓了 2D 材料接触在低温半导体物理学中的研究，并强调了在低温开发 2DFET 时接触金属选择的重要性。
引用
@article{arxiv.2502.02101,
title = {Enhanced Non-Ohmic Drain Resistance of 2DFETs at Cryogenic Temperature},
author = {Kwok-Ho Wong and Mansun Chan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.02101},
year = {2025}
}
备注
13 pages, 5 figures