以冷金属作为注入源的亚 60 mV/decade 开关
介观与纳米尺度物理
2020-07-01 v1 材料科学
应用物理
摘要
由于传统 MOSFET 的热电子电流开关极限，功耗是 CMOS 技术持续微缩与性能提升的一大挑战。本工作中，我们表明该问题可通过使用冷金属作为晶体管的注入源来克服；冷金属不同于传统金属，能够滤除高能电子以打破玻尔兹曼暴政。我们证明，采用冷金属接触的晶体管其热电子电流的亚阈值摆幅（SS）在室温下可远小于 60 mV/decade。具体而言，提出以二维（2D）过渡金属硫族化物（TMD）冷金属 NbX 和 TaX（X=S, Se, Te）作为 FET 的注入源。量子输运模拟表明，采用 TMD 冷金属注入源可实现良好的开关效率与导通电流，有益于节能应用。
引用
@article{arxiv.1909.00715,
title = {Sub-60 mV/decade switching with a cold metal as the injection source},
author = {Fei Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.00715},
year = {2020}
}
备注
14 pages, 5 figures