基于 h-BN 保护的大面积 CVD 石墨烯上具一维边缘接触的栅可调霍尔传感器
应用物理
2018-04-26 v1
摘要
石墨烯因其原子级薄层结构、高载流子迁移率和低载流子密度而成为制造霍尔传感器的优异材料。然而，为使器件在不同环境条件下可靠且持久地工作，需将石墨烯器件与环境隔离保护。本文展示了一种基于大面积商用 CVD 石墨烯、由剥离六方氮化硼（h-BN）保护的磁霍尔传感器。为将霍尔样品的石墨烯有源区连接至输出端，采用了具有可靠且稳定电学性质的一维边缘接触。该霍尔传感器的工作显示其电流相关灵敏度高达 345 V/(AT)。通过施加栅电压改变石墨烯中的载流子浓度与类型，我们得以调控霍尔灵敏度。
引用
@article{arxiv.1804.09507,
title = {Gate-tunable Hall sensors on large area CVD graphene protected by h-BN with 1D edge contacts},
author = {Bogdan Karpiak and André Dankert and Saroj P. Dash},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.09507},
year = {2018}
}