将高质量CVD石墨烯器件扩展至100微米尺度及更大
材料科学
2017-03-17 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们描述了一种转移超大面积CVD生长石墨烯片的方法。这些样品可制备至数cm大小，并通过在SiO衬底上的磁输运测量进行表征。我们开发的工艺非常高效，在整个金属剥离过程中将石墨烯的损伤降至最低，载流子迁移率测量和量子霍尔效应的观测证实了这一点。结果表明，经过两步制备后退火工艺后，电荷中性点大幅移动至接近零栅压位置，该工艺还使磁滞显著减小。
引用
@article{arxiv.1611.06199,
title = {Upscaling High-Quality CVD Graphene Devices to 100 Micron-Scale and Beyond},
author = {Timothy J. Lyon and Jonas Sichau and August Dorn and Amaia Zurutuza and Amaia Pesquera and Alba Centeno and Robert H. Blick},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.06199},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 5 figures. Revision includes updated title, figures updated with extra labels and to be compatible with black and white printing, and various minor edits. Added publication information