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厘米级化学气相沉积石墨烯薄膜上的量子霍尔效应

介观与纳米尺度物理 2015-05-30 v1

摘要

我们报告了在尺寸为 7 mm ×\times 7 mm 的单层石墨烯薄膜上观测到充分发展的半整数量子霍尔效应(QHE)。石墨烯薄膜通过化学气相沉积(CVD)法在铜上生长,然后转移到 SiO2_2/Si 衬底上,其典型载流子迁移率约为 4000 cm2^2/Vs。本工作展示的具有优异质量和电子均匀性的大尺寸石墨烯,有望用于基于石墨烯的量子霍尔电阻标准,并且也能促进关于石墨烯量子霍尔物理的广泛实验以及利用石墨烯卓越特性的实际应用。

关键词

引用

@article{arxiv.1109.6829,
  title  = {Quantum Hall effect on centimeter scale chemical vapor deposited graphene films},
  author = {Tian Shen and Wei Wu and Qingkai Yu and Curt A Richter and Randolph Elmquist and David Newell and Yong P. Chen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1109.6829},
  year   = {2015}
}