CVD 生长石墨烯中的分数量子霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2020-09-14 v1 材料科学
摘要
我们展示了在干法转移的化学气相沉积（CVD）衍生石墨烯组装成的异质结构中，于低至 3 T 以下至高 35 T 的磁场下出现分数量子霍尔态。有效的复合费米子填充因子直至 可见，且更高阶复合费米子态（附着四个磁通量子）在最高场下开始浮现。我们的结果表明，CVD 生长石墨烯的量子迁移率可与剥离石墨烯相比拟，更具体地， 分数量子霍尔态具有高达 30 K 的能隙，与其他基于剥离石墨烯的硅栅器件中观测到的能隙相当。
引用
@article{arxiv.2005.08938,
title = {Fractional quantum Hall effect in CVD-grown graphene},
author = {M. Schmitz and T. Ouaj and Z. Winter and K. Rubi and K. Watanabe and T. Taniguchi and U. Zeitler and B. Beschoten and C. Stampfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.08938},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 4 figures