石墨烯及其双层中的分数量子霍尔效应
强关联电子
2015-05-13 v1
摘要
单层和双层石墨烯是一类具有非常规能带结构和谷自由度的新型二维电子系统。利用密度矩阵重整化群（DMRG）方法，在环面和球面几何上研究了整数和分数量子霍尔区域中的基态和激发。在非零朗道能级指标下，单层和双层石墨烯中有效填充因子为1、1/3、2/3和2/5的基态都是谷极化的。我们研究了可能与谷自由度耦合的基本电荷激发（所谓的谷斯格明子）。计算了激发能隙并外推到热力学极限。在双层石墨烯中，在有效填充因子1/3处获得了最大的激发能隙，这是实验观测分数量子霍尔效应的良好候选体系。
引用
@article{arxiv.0906.1037,
title = {Fractional Quantum Hall Effects in Graphene and Its Bilayer},
author = {Naokazu Shibata and Kentaro Nomura},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.1037},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 7 figures, submitted to J. Phys. Soc. Jpn