石墨烯中填充因子 1/3 处的非典型分数量子霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2010-10-22 v2 强关联电子
摘要
我们利用四分量试探波函数和精确对角化计算，研究了最近在填充因子 ν_G=1/3 处观测到的石墨烯分数量子霍尔态。尽管该态与上自旋分支中具有 SU(2) 谷-同位旋铁磁序且下自旋分支完全填充的 1/3 Laughlin 态绝热相连，但它展现出了超出该态（即大塞曼效应下的自然基态）的物理性质。最显著的是，在实验相关的塞曼能隙值下，它拥有低能自旋翻转激发，这些激发可能通过非弹性光散射实验揭示。
引用
@article{arxiv.1005.5121,
title = {Atypical Fractional Quantum Hall Effect in Graphene at Filling Factor 1/3},
author = {Z. Papic and M. O. Goerbig and N. Regnault},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.5121},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 3 figures; slightly modified published version