CVD生长单晶石墨烯中的低温量子输运
介观与纳米尺度物理
2016-06-01 v1
摘要
化学气相沉积(CVD)已被提出用于实际应用的大规模石墨烯合成。然而，CVD石墨烯劣质的电子性质是待解决的关键问题之一。本研究我们对高质量单晶单层石墨烯的电子性质进行了详细研究。该石墨烯通过CVD在铜上利用冷壁反应器生长，然后转移到Si/SiO2上。我们的低温磁输运数据表明，所测量的单晶CVD石墨烯样品的特性优于多晶石墨烯，并且具有可与Si/SiO2上剥离石墨烯相比的质量。我们最佳样品中的狄拉克点位于小于10V的后栅电压处，其迁移率可达11000 cm2/Vs。在狄拉克点的电子和空穴两侧的高磁场下，观察到超过12个平坦且可辨的半整数量子霍尔平台。在低磁场下，磁电阻显示出清晰的弱局域化峰。利用McCann等人的理论，我们发现即使在这些样品的电荷中性点处，非弹性散射长度也大于1 {\mu}m。
引用
@article{arxiv.1603.07499,
title = {Low-temperature quantum transport in CVD-grown single crystal graphene},
author = {Shaohua Xiang and Vaidotas Miseikis and Luca Planat and Stefano Guiducci and Stefano Roddaro and Camilla Coletti and Fabio Beltram and Stefan Heun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.07499},
year = {2016}
}