单轴应变下 CVD 石墨烯的应力与电荷转移
材料科学
2018-01-18 v1
摘要
通过化学气相沉积（CVD）制备的石墨烯的力学性质不易与通过机械剥离制备的近乎完美石墨烯的性质相比较。在这项工作中，我们试图研究由两种不同技术转移的 CVD 石墨烯（简支或嵌入聚合物基体中）在单轴载荷下的力学表现，并同时通过拉曼显微光谱进行原位监测。利用针对单轴应变修正的矢量分析评估电荷转移掺杂和应变水平。由于生长和转移过程在 CVD 石墨烯中引入了褶皱和缺陷，样品上的应变分布差异显著。在简支试样中，应力传递效率通常非常低，拉曼光谱的变化主要由施加应变时基底上畴重新对齐所引起的电荷转移变化主导。相比之下，覆盖额外聚合物层的样品表现出改善的应力传递效率，且电荷掺杂水平的变化可忽略不计。在完全嵌入的试样中，应力传递效率的变化由裂纹、折叠和/或褶皱所定义的有效石墨烯畴的尺寸引起。
引用
@article{arxiv.1801.05586,
title = {Stress and charge transfer in uniaxially strained CVD graphene},
author = {Milan Bousa and George Anagnostopoulos and Elena del Corro and Karolina Drogowska and Jan Pekarek and Ladislav Kavan and Martin Kalbac and John Parthenios and Konstantinos Papagelis and Costas Galiotis and Otakar Frank},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.05586},
year = {2018}
}