在转移的大面积 CVD 石墨烯上沉积薄硅层
材料科学
2014-01-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文研究了在转移的石墨烯上进行 Si 的物理气相沉积。在较高温度下，Si 优先在褶皱和多层石墨烯岛上成核。然而在某些情况下，Si 可以准选择性地仅生长在单层石墨烯区域，而多层岛保持未覆盖状态。实验观察与 ab initio 计算表明，转移过程后碳残留物去除效率的差异可能是导致这一行为的原因。低温 Si 种子层改善了润湿性并实现了均匀生长。这是向实现石墨烯嵌入两层 Si 之间的电子器件迈出的重要一步。
引用
@article{arxiv.1401.0416,
title = {Deposition of thin silicon layers on transferred large area CVD graphene},
author = {Grzegorz Lupina and Julia Kitzmann and Mindaugas Lukosius and Jarek Dabrowski and Andre Wolff and Wolfgang Mehr},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.0416},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 6 figures