通过 CVD 在石墨烯上成核与生长 HfO$_2$ 层
材料科学
2013-11-06 v1
摘要
本文研究了在无种子层条件下，利用不同供应商提供的商用 CVD 石墨烯生长 HfO 的情况。研究发现，从 Cu 转移至 SiO/Si 衬底的单层石墨烯样品具有不同覆盖度的双层及多层石墨烯岛。我们发现此类岛的分布和数量影响了通过 CVD 进行的 HfO 成核与生长。特别是，我们表明密集分布的双层石墨烯岛的边缘和表面为共形 CVD HfO 层提供了良好的成核位点。通过对石墨烯-HfO-TiN 电容器的测量，提取出的介电常数为 16。
引用
@article{arxiv.1311.0988,
title = {Nucleation and growth of HfO$_2$ layers on graphene by CVD},
author = {Grzegorz Lupina and Mindaugas Lukosius and Julia Kitzmann and Jarek Dabrowski and Andre Wolff and Wolfgang Mehr},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.0988},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 6 figures