优化成核层以实现铁电 HZO 在 CVD 生长石墨烯上的集成
材料科学
2022-09-07 v2 应用物理
摘要
将铁电 Hf0.5Zr0.5O2（HZO）直接集成于石墨烯惰性表面具有挑战性。本文研究了使用成核层促进 HZO 的原子层沉积。通过直流溅射沉积不同金属作为成核层。将空气中氧化形成亚化学计量氧化物的 Ta，与提供更稳定电极的 Pt 进行比较。对于较厚中间层，Ta 导致 HZO 薄膜开关行为不稳定。相反，在较小厚度下，氧化 Ta 中间层可实现更高 Pr。两种情况下，Pt 均提供更高 endurance。中间层的选择可能强烈依赖于所需应用。
引用
@article{arxiv.2208.14061,
title = {Optimizing nucleation layers for the integration of ferroelectric HZO on CVD-grown graphene},
author = {Suzanne Lancaster and Iciar Arnay and Ruben Guerrero and Adrían Gudín and Thomas Mikolajick and Paolo Perna and Stefan Slesazeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.14061},
year = {2022}
}