高分辨 X 射线反射率研究薄层 Pt 电极用于集成介导电器件
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
使用高分辨 Specular 和 Diffuse X 射线反射率技术 under grazing angles, 我们研究了层状 Pt/Ti/SiO2/Si 电极的结构界面性质。当前，这种多层系统代表了作为底电极用于介导薄膜应用的技术标准。对于电子和介导特性的集成器件, 薄膜-电极界面至关重要。我们聚焦于在铸造制造中使用的退火条件下准备的 Pt-100nm/Ti-10nm/SiO2/Si 电极, 以及介导薄膜沉积前的处理。将退火后和未退火的电极进行比较, 清晰地揭示了由于 Ti 向下扩散和氧化造成的强烈界面效应, 特别是在 Pt-Ti 界面。Ti 向 Pt 层迁移导致临界角出现明显位移, 因为 TiO(2-x) 被封入 Pt 层中。TiO(2-x) 的异质分布表明扩散机制主要沿着 Pt 晶粒边界进行。在 SiO2 界面发现剩余的约 20 Å 厚的弱氧化 Ti 层, 这很可能与基板的粘附性有关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0010467,
title = {High-Resolution X-Ray Reflectivity Study of Thin Layered Pt-Electrodes for Integrated Ferroelectric Devices},
author = {M. Aspelmeyer and U. Klemradt and W. Hartner and H. Bachhofer and G. Schindler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0010467},
year = {2007}
}
备注
presented at the X-TOP Conference on High-Resolution X-ray Diffraction and Topography (Sept.13-15 2000), submitted to Journal of Physics D: Applied Physics