利用光谱椭偏仪对 PtSi/Si 的光学表征
材料科学
2016-09-21 v1
摘要
我们报道了利用无损光谱椭偏仪 (SE) 对用于热电器件应用的 PtSi 薄膜进行光学表征。通过溅射法在 p 型掺杂硅衬底上沉积了 Pt 单层以及由 3 对 Pt 和 Si 层组成的 Pt-Si 多层，随后进行快速退火处理，通过界面处 Pt 和 Si 原子的互混形成 PtSi 薄膜。利用光谱椭偏仪获得了 PtSi/Si 样品从 1.12 到 6.52 eV 的赝介电函数数据 <{\epsilon}> = <{\epsilon}1> + i<{\epsilon}2>。采用 Tauc-Lorentz 和 Drude 模型，确定了 PtSi 薄膜的介电函数 ({\epsilon})。我们发现 PtSi 单层的 Pt:Si 组成比接近 1:1，并观察到了 Pt 5d 态中占据态与非占据态之间的跃迁。我们还观察到了 Pt-Si 多层样品中 PtSi 层的形成。SE 结果由透射电子显微镜和能量色散 X 射线能谱予以证实。
引用
@article{arxiv.1606.03767,
title = {Optical Characterization of PtSi/Si by Spectroscopic Ellipsometry},
author = {Van Long Le and Tae Jung Kim and Han Gyeol Park and Hwa Seob Kim and Chang Hyun Yoo and Hyoung Uk Kim and Young Dong Kim and Junsoo Kim and Solyee Im and Won Chul Choi and Seung Eon Moon and Eun Soo Nam and},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.03767},
year = {2016}
}
备注
18 pages, 10 figures, ICAMD 2015 conference