alpha-Pt_2Si和PtSi的第一性原理弹性常数与电子结构
材料科学
2009-10-31 v2
摘要
我们进行了对两种室温稳定Pt硅化物相（四方α-Pt_2Si和正交PtSi）的弹性性质和电子结构的第一性原理研究。我们计算了两个相的所有平衡结构参数：α-Pt_2Si的a和c晶格常数以及PtSi的a、b、c晶格常数和四个内部结构参数。这些结果与实验数据高度吻合。我们也计算了零压下的弹性常数，确认了纯Pt和Si的先前结果，并预测了α-Pt_2Si（PtSi）六（九）个独立、非零弹性常数的取值。这些计算包括对所有相关内部位移的完整处理，包括对α-Pt_2Si中三个应变情况下的无量纲内部位移参数的明确确定。我们分析了计算得到的弹性常数的趋势，既在同一材料内部，也在两种硅化物与纯Pt和Si相之间。计算得到的电子结构确认两种硅化物是劣质金属，其费米能级处的态密度很小，因而我们预计其Drude成分的光吸收将远小于像纯Pt这样的良好金属。这一观察结合我们在第一性原理自旋轨道分裂能带结构中发现的拓扑，表明即使在红外区域，也可能需要考虑介导带贡献的光吸收。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008200,
title = {First principles elastic constants and electronic structure of alpha-Pt_2Si and PtSi},
author = {O. Beckstein and J. E. Klepeis and G. L. W. Hart and O. Pankratov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008200},
year = {2009}
}
备注
v1: 27 pages, 7 figures, 13 tables submitted to Phys. Rev. B v2: 10 pages, 4 figures, 12 tables (published in Phys. Rev B) contains only ab-initio calculations; valence force field models are now in a separate paper: cond-mat/0106187