C60 在 Si(111) 表面吸附的第一性原理研究
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
通过第一性原理密度泛函计算，我们研究了 C60 在 Si(111) 上的吸附。采用 2x2 吸附原子表面重构以模拟 7x7 重构的坡道。使用 ab initio 原子力优化了几种可能的吸附构型，找到了两个实验中观察到的不同吸附态的良好候选。虽然 C60 分子保持较为圆形，但硅基板显得相当柔软，尤其是吸附原子，会显著移动以形成额外的 C-Si 键，牺牲 Si-Si 键。结构松弛对吸附能的影响远大于电荷转移。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0010500,
title = {First principles study of the adsorption of C60 on Si(111)},
author = {Daniel Sanchez-Portal and Emilio Artacho and J. I. Pascual and J. Gomez-Herrero and Richard M. Martin and Jose M. Soler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0010500},
year = {2009}
}
备注
4 pages with 3 postscript figures, to appear in Surf. Science. (proceedings of the European Conference on Surface Science ECOSS-19, Sept 2000)