稀土填充方钴矿 RPt4Ge12 电子结构与费米面的第一性原理研究
强关联电子
2019-09-11 v1 其他凝聚态物理
摘要
对稀土填充方钴矿的实验展现出一系列引人入胜的热力学、输运和超导性质，并提出了 f 电子体系所带来的理论挑战。基于密度泛函理论及其针对强关联体系（如 Hubbard U 修正）的扩展的第一性原理计算，提供了可用于理解实验的电子结构有价值信息。我们呈现了一系列稀土填充方钴矿 RPt4Ge12（其中 R = La, Ce, Pr）的电子结构与费米面的综合研究，旨在阐明：该系列中 f 轨道占据数逐步增加的结果；Hubbard 参数 U 的效应；费米面、能带结构与态密度。所计算的费米面可能与多带 versus 单带超导的问题相关。计算所得的态密度定性地解释了已有的共振光电子能谱实验，并且（与已有的比热测量一起）给出了有效质量的估计。我们还展示了总态密度中赝隙的存在，这可能与这些体系的热电性质相关。
引用
@article{arxiv.1905.00169,
title = {First Principles Study of Electronic Structure and Fermi Surface in Rare-earth Filled Skutterudites RPt4Ge12},
author = {Gheorghe Lucian Pascut and Michael Widom and Kristjan Haule and Khandker F. Quader},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.00169},
year = {2019}
}
备注
17 pages, 11 figures