单个Si2Te3纳米片的依赖于温度与偏振的光学性质
材料科学
2020-06-23 v1 光学
摘要
我们报道了关于单个碲化硅（Si2Te3）纳米片光学性质的实验与计算相结合的研究。p型半导体Si2Te3具有独特的层状晶体结构，其Te亚晶格为六方密堆积，Si-Si二聚体占据八面体插层位。硅二聚体的取向导致了独特的光学与电子性质。通过化学气相沉积技术合成了厚度为数百纳米、横向尺寸达数十微米的二维Si2Te3纳米片。在低于150 K的温度下，Si2Te3纳米片呈现直接带结构，在7 K时带隙能量为2.394 eV，自由激子束缚能估计为150 meV。不同温度下的偏振反射测量显示出吸收系数的各向异性，源于硅二聚体的各向异性取向，这与介电函数的理论计算高度吻合。单个Si2Te3纳米片在不同温度下的偏振拉曼测量揭示了多种振动模式，与密度泛函微扰理论计算一致。纳米结构Si2Te3独特的结构与光学性质在光电子学及化学传感中具有巨大潜在应用价值。
引用
@article{arxiv.2006.11980,
title = {Temperature- and Polarization- Dependent Optical Properties of Single Si2Te3 Nanoplates},
author = {Jiyang Chen and Romakanta Bhattarai and Jingbiao Cui and Xiao Shen and Thang Hoang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.11980},
year = {2020}
}
备注
19 pages, 6 Figures