基于拓扑绝缘体 (Bi2Te3) 纳米结构的新颖合成及其高性能光电探测演示
材料科学
2019-03-11 v1
摘要
二维材料研究的快速进展引发了各种量子纳米结构——纳米片、纳米线、纳米带、纳米晶的生长，并且通过二维异质结构产生的奇异性质已将杂化材料的合成扩展到传统方法之外。在此，我们引入简单、一步受限薄熔融方法来形成拓扑绝缘体 (TI) 材料的纳米结构、其与其他新颖二维材料的杂化异质结构及其可扩展生长。在绝缘、超导、金属、半导体和铁磁材料上研究了衬底与温度依赖的生长。温度依赖的合成实现了单层、少层 quintuple 层到纳米片和纳米晶的生长。纳米结构生长密度在制备的图形或织构化衬底上更高。所制备的基于纳米结构的器件展示了从紫外到近红外的宽带光电探测，并表现出高光电响应度。最终，这种独特的合成工艺将便于在用户友好型衬底上制备器件，研究纳米结构，且可扩展生长将使其未来技术应用成为可能。
引用
@article{arxiv.1903.02208,
title = {Novel synthesis of topological insulator based nanostructures (Bi2Te3) demonstrating high performance photodetection},
author = {Alka Sharma and T D Senguttuvan and V N Ojha and Sudhir Husale},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.02208},
year = {2019}
}
备注
19 pages, 5 figures