Bi2Se3拓扑绝缘体纳米带的受控MOCVD生长
介观与纳米尺度物理
2012-10-15 v1
摘要
拓扑绝缘体是一类支持拓扑保护电子表面态的新材料。表面态在低耗散电子器件中的潜在应用推动了制备具有大表面体积比和高度可控化学计量比的纳米样品的努力。Bi2Se3中的Se空位会导致体态导电，掩盖表面态的输运性质。因此，我们开发了一种利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）合成拓扑绝缘体纳米结构的新途径。MOCVD允许在生长过程中控制Se/Bi通量比。为了合理生长，我们改变Se/Bi通量比、生长时间和衬底温度，并观察形态变化，这些变化表明纳米带形成受Bi前驱体质量流限制的生长机制。Bi2Se3纳米结构的MOCVD生长通过一种独特的生长机制发生，该机制由纳米线底部的金纳米颗粒成核。通过调节反应条件，我们获得了长达10微米的单晶纳米带或薄的微米级片晶。
引用
@article{arxiv.1206.3091,
title = {Controlled MOCVD growth of Bi2Se3 topological insulator nanoribbons},
author = {L. D. Alegria and J. R. Petta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.3091},
year = {2012}
}
备注
Related papers at http://pettagroup.princeton.edu