原子力显微镜剥离的超薄拓扑绝缘体Bi2Se3纳米带
介观与纳米尺度物理
2010-08-16 v1
摘要
超薄拓扑绝缘体纳米结构中，顶部和底部表面态之间的耦合具有重要的学术和实际意义。由于相邻五层(QL)之间的范德瓦尔斯相互作用较弱，层状硒化铋(Bi2Se3)（一种具有大体带隙的单狄拉克锥拓扑绝缘体）可以被剥离至几个QL。本文首次报道了通过原子力显微镜(AFM)针尖将Bi2Se3纳米带(> 50 QL)可控机械剥离至单QL。我们采用微波阻抗显微镜绘制了这种超薄纳米带的局域电导率图，显示1~2 QL与4~5 QL之间的薄层电阻存在显著差异。对剥离的(≤ 5 QL) Bi2Se3器件进行的输运测量显示，电阻具有非金属的温度依赖性，这与厚(> 50 QL)纳米带中观察到的金属行为形成鲜明对比。这些AFM剥离的薄纳米带为研究从量子自旋霍尔表面态到边缘态的转变提供了有趣的候选材料。
引用
@article{arxiv.1007.1285,
title = {Ultra-thin Topological Insulator Bi2Se3 Nanoribbons Exfoliated by Atomic Force Microscopy},
author = {Seung Sae Hong and Worasom Kundhikanjana and Judy J. Cha and Keji Lai and Desheng Kong and Stefan Meister and Michael A. Kelly and Zhi-Xun Shen and Yi Cui},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.1285},
year = {2010}
}